一、发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象（论文文献综述）
田其鹏[1]（2021）在《手性有机半导体激发铁磁性的机理研究》文中进行了进一步梳理有机半导体相比于传统的无机半导体具有诸多优势,如质量轻、柔性好、半透明、价格低、易制备等,它作为新一代电光材料具有非常广阔的应用前景。在过去的四十年来,人们对于有机半导体的内在物理机制展开了系统的研究,开发了有机发光二极管、有机太阳能电池、有机薄膜晶体管、有机激光器等光电器件。此外,人们注意到有机器件对磁场也有着敏感响应,并希望研制有机磁存储、有机自旋阀等磁器件。现如今,人们对有机半导体中载流子的电荷属性已经有了系统全面的认识,各类有机光电器件已经进入到人们的日常生活中,但有机磁器件的研究尚不成熟,有机自旋电子学仍有诸多问题亟待解决。为实现对载流子自旋属性的操控,人们对有机半导体中的电子自旋注入、输运和极化等现象展开了一系列研究。随着有机自旋电子学研究的深入,有机手性分子或手性纳米结构材料中独特的自旋极化现象引起了研究人员的广泛关注。早期对手性材料的研究大多集中在其光学性质上,如旋光性、圆二色性和偏振光致发光。如今众多实验表明,具有手性特征的材料中的载流子存在自旋极化现象,称其为手性诱导的自旋选择效应（CISS）。一方面,有机半导体中的电声耦合作用很强,使得载流子类型不再是电子和空穴,而是与晶格耦合在一起的极化子;另一方面,当偏振光激发形成激子时,光子角动量与电子角动量存在耦合相互作用,使得自旋极化的电子被选择性激发。本文将基于紧束缚近似下的SSH模型,引入分子螺旋构型引起的手性自旋轨道耦合,理论计算研究手性有机半导体激发铁磁性的物理机理。1、基态下电荷自发转移磁矩我们采用紧束缚近似下的SSH模型,通过引入螺旋结构引起的手性自旋轨道耦合,构建了手性有机分子D/A异质结体系,在理论上解释了有机半导体具有手性特征后磁矩增强的现象。我们发现,有机分子螺旋构型能够产生内建电场,进而产生手性自旋轨道耦合。单组分的给体和受体分子都是闭壳层结构,但当形成电荷转移复合物后,电子从给体转移到受体,由于给体和受体分子自旋极化不同,系统存在净磁矩。而给体聚合物链受到手性自旋轨道耦合的影响后,自旋极化会发生改变,进而改变系统的净磁矩。2、偏振光激发电荷转移磁矩在量子力学中,光波被视为是量子化的光子,而左旋和右旋圆偏振光在携带不同的自旋角动量。由于偏振光子与有机半导体中的电子发生耦合时需要满足角动量守恒,因此不同偏振态的光子激发的电子自旋不同。对于非手性有机半导体,由于海森堡自旋相互作用的影响,给体和受体的自旋极化始终是相反的,激发并转移的电子自旋极化取向并不影响系统净磁矩的大小。当有机半导体具有了手性特征后,由于时间反演对称性被打破,系统出现了手性诱导的自旋选择极化。由于给体分子的自旋极化主要取决于手性结构,而不同偏振光激发的电子会影响受体分子的自旋极化,因此系统净磁矩也会随光的偏振态而发生改变。
王延鑫[2]（2021）在《有机共晶中分子排布对自旋效应影响的研究》文中研究指明近些年,有机半导体材料由于其质量轻、柔性好,易生产,取材环保等优点,成为有机场效应晶体管、有机太阳能电池、有机发光二极管等当下众多领域的研究热点。随着技术的日趋成熟,有机半导体器件在人们的日常生产生活中已经开始崭露头角,在许多领域由于其优越的性能,逐渐成为当下市场新宠。而为满足应用场景的多样化需求,人们希望得到功能更加丰富,适用范围更广的有机材料。在此背景下,共晶工程作为一种最简单有效的方法,综合了有机材料的多种优点,成为当下最有效的有机半导体材料性能改进方案。在有机半导体中,有机自旋电子学作为一门新兴的学科,吸引了一众科研人员的目光,合理设计有机电子自旋材料,将为人类的生产生活注入强大动力。但相比于无机半导体而言,有机共晶构成更加复杂,分子间相互作用多样化,这使其物理性质更加丰富,却难以实现精确的人为控制。而在晶体组分相同情况下,分子间相对排布的变化往往同时存在着分子间相互作用的改变,导致晶体内电子自旋效应的不同。共晶内分子间相对排布的变化有多种方式:初始投入的给受体比例不同或生长过程中溶剂的选择不同,通常会导致给受体分子在晶体内排布不同;外界条件刺激下晶体内分子运动会改变排列方式。随着对有机材料研究的不断深入,人们希望通过了解有机共晶材料复杂的物理性质,从而实现有目的性合成、调控共晶材料。因此,不改变给受体成分情况下的物理性质变化,对于我们更深层了解共晶内电子自旋的调控方法提供可靠依据。本文通过溶液法分别制备perylene-TCNB-THF和perylene-TCNQ有机电荷转移晶体,通过分子运动、不同分子排布位型影响有机共晶内分子排布,改变晶体结构,进一步探究对有机共晶自旋性质的影响。具体如下:1.通过溶液法,四氢呋喃（THF）为溶剂,制备perylene-TCNB-THF和perylene-TCNB有机共晶,并通过单晶XRD得到晶体结构。由于在三元晶体内复杂的结构中存在多种电荷转移相互作用,且分子排布变化对晶体结构及自旋性质的影响。我们分别讨论了多组分有机共晶在外界条件刺激下的分子排布变化;在偏振光作用下有机共晶内分子运动前后晶体结构、以及晶体内光学性质和电子自旋的变化。通过上述研究,对有机共晶内分子间相互作用给出了合理解释,对外界条件控制有机晶体给出了解决方案。通过研究晶体内分子运动的外部偏振光激励,我们发现在室温下,偏振激光可以调节有机晶体内分子运动,从而改变晶体的电子结构,晶体电子结构的改变会进一步影响其自旋和光学性质。但当温度降至77 K,电荷转移晶体内的分子将是固定的,外部偏振光无法调节分子的运动。此外,将激光由线性偏振光转换为圆偏振光,分子运动对自旋和光学性质的相关性表现出明显的差异。进一步经过DFT理论计算得到晶体能带结构,对比偏振光刺激前后晶体能带变化。分别用405 nm、532 nm激光激发perylene-TCNB-THF晶体,随着光照时间的增加,晶体荧光光谱均出现不同程度红移。2.通过不同溶剂甲苯、苯分别制备得到perylene-TCNQ（1:1）和perylene-TCNQ（3:1）有机共晶,通过对上述两种不同排布的晶体结构解析可以发现晶体在1:1给受体比例时为-DADADA-排布,3:1比例时为-DDADDA-排列,两种晶体虽然肉眼颜色一致,但在荧光光谱测试中可以发现两者发光位置有所不同,P3T1型晶体发光位置相对P1T1出现红移,这说明P3T1型晶体给受体之间相互作用更强,HOMO与LUOM之间带隙更小。通过介电常数的测试,讨论了分子位型对晶体内电子-空穴对自旋的影响。磁场可以调节P3T1晶体内单三态比例,增加了晶体内三重态激子,增强了偶极极化,且晶体介电常数有明显磁响应特性。
魏蒙蒙[3]（2021）在《有机电荷转移复合物中的自旋极化调控》文中研究说明1976年,有机导电材料聚乙炔的问世颠覆了有机材料是绝缘体的固有观念,开启了有机材料在导电方面的研究与应用。经过人们不断的努力,20世纪90年代,有机半导体材料丰富的光学性能也走入了大众的视野,在有机半导体光电性能不断丰富的同时,有机半导体材料新奇的自旋特性也变得吸人眼球。有机半导体材料丰富的磁光电性能源于π共轭结构和较强的电子晶格耦合。在π共轭体系中,交叠的电子云为π电子提供了传输的通道,赋予了材料导电的可能;π电子在HOMO与LUMO间的跃迁,使其吸收光谱与发射光谱分布在近紫外到近红外范围内;有机半导体材料内较强的电子晶格耦合赋予了载流子特殊的电荷自旋关系,促使新奇的自旋性能不断涌现。基于此,人们设计合成的有机半导体材料实用于各个方面,例如,有机光伏、有机自旋阀、有机自旋流、有机多铁、有机磁手性二色性探测等。当下,人们对有机半导体材料光电特性的研究如火如荼,对其磁性行为的探索也是方兴未艾。其中一个备受关注的方向为有机铁磁性或亚铁磁性材料等自旋极化材料的设计、合成、优化或调控。早在1988年,Ovchinnikov等人首次合成出了有机聚合物铁磁材料 poly-BIPO（poly-BIPO=1,4-bis（2,2,6,6-tetramethyl-4-piid-yl-1-oxy1）-butadiene）,poly-BIPO 聚合物锯齿形的碳主链上悬挂着系列的开壳层的自由基,自由基间有较强的自旋交换耦合,这促使体系表现出自旋极化。之后,Sessoli等人于1993年发现了第一个单分子磁体[Mn12012（O2CCH3）16]·4H2O·2CH3CO2H,其处于低温时为超顺磁相,材料内部一个分子就可以看成一个磁畴。此外,富勒烯在氧化或氢化后,也可能具有出优异的铁磁性能。1996年,Murakami和Suematsu等人在实验上研究发现氧化处理的C60的饱和磁化强度可达10-3μB/C60,Kvyatkovskii指出每个C60Hx的饱和磁化强度在0.001-0.16 μB之间。另外,也有众多的研究证明,由多组分形成的部分有机电荷转移复合物也是有机铁磁体的典型代表。例如,Allemand等人研究发现有机电荷转移复合物TDAE-C60（TDAE=Tetrakis（dimethylamino）ethylene）具有铁磁性,其居里温度仅为 16.1 K。Tanaka等人进一步研究发现,电子自旋极化主要位于受体C60分子上,自旋间的交换相互作用大概为5.03×10-4 eV。C60分子的取向也对整个体系的磁性能有着决定性的作用。而在 TTF-TCNQ（TTF=Tetrathiafulvalene,TCNQ=7,7,8,8-tetrac-yano-p-quinodimethane）电荷转移复合物内,自旋极化不仅分布在受体 TCNQ 上,给体TTF上也存在自旋极化。在TTF-BA（BA=bromanil）复合物内既可以发现铁磁性,也可观测到铁电性和磁电耦合效应。当温度低于84 K时,其...D++A-D+A-...的分子排布可以看作是带有1/2自旋的海森伯链,体系表现出来铁磁性。当温度降低到53 K以下时,其空间群由非极性的P（?）转化成极性的P1,给受体间发生二聚化,产生了自旋派尔斯相变,具有了铁电性,也表现出明显的磁控铁电信号。近年来,人们将有机电荷转移铁磁体的居里温度提高到了室温以上,聚噻吩纳米线基的电荷转移体系极具代表性,如P3HT-nw-C60（P3HT-nw=poly（3-hexylthiop-hene）-nanowires）,P3HT-nw-金纳米簇等。对于 P3HT-nw-C60 体系,实验上不仅观测到了其显着的磁各向异性,也发现了它敏锐的光响应和力响应,同时体系也表现出明显的磁电耦合效应。除此之外,理论研究也发现当噻吩的五元环与C60的五元环相对时,体系有净的自旋极化,当噻吩的五元环与C60的六元环相对时,体系不再有净磁矩。之后,人们在P3HT-nw-C60电荷转移复合物的基础上,制备出了单一手性的P3HT-nw-C60电荷转移复合物,其磁特性对线圆偏振光的响应有着很大的区别。亚铁磁体材料内也存在自旋极化,有机亚铁磁体PNNBNO（PNNBNO=2-[3’,5’-bis（N-tert-butylami-nox-yl）-pheyl]-4,4,5,5-tetramethyl-4,5-dih-ydro-1H-imidazol-1-oxyl-3-oxid）就是一个典型的代表,它的出现填补了有机亚铁磁体的空白,但是至今罕有有机手性亚铁磁体的报道。值得注意的是,有机电荷转移复合物中并不包含3d电子,与无机材料的铁磁性或亚铁磁性的来源相比将有很大的区别。部分计算模型给出,此类复合物铁磁性的起源可能是由于受体分子中电子诱导的局域自旋极化;还有理论计算表明,给体中空穴的自旋取向一致诱导了局域的自旋极化。理论上对有机电荷转移复体系各种磁性的解释并不统一,在实验上如何解释有机电荷转移体系的铁磁性或是亚铁磁性,更是颇具挑战。除此之外,寻找有机电荷转移复合物磁性产生的必要条件以及目的性地合成铁磁体或者亚铁磁体更具有实际意义。在有机电荷转移体系存在自旋极化的基础上,如何从实验的角度实现并解释光场、电场以及晶格扭曲对其性能的调控仍不太完善。对于有机手性的电荷转移磁体,同一种材料的两种手性异构体对应的自旋极化是否有区别也尚不清楚。总结以上的分析,有机电荷转移体系自旋极化调控相关的工作亟待进一步的探索。本论文针对以上提及的问题做了详尽的调研和并展开了相应的工作:在第一部分工作里,我们制备了 P3HT-nw/CH3NH3PbBr3电荷转移双层异质结,并观测到了该体系室温下的铁磁性。不同频率或者不同功率的激发光,以及不同的电场强度都可以对体系的自旋极化强度进行调控。在该部分工作中,我们利用双光束选择性激发的策略,揭示了光诱导的电荷转移对室温铁磁性和磁电耦合效应的影响。使用双光束355 nm和607 nm的激光激发CH3NH3PbBr3和P3HT-nw,铁磁性和磁电耦合可以通过激发CH3NH3PbBr3来调控。P3HT-nw内电荷转移诱导的闭壳层结构向开壳层的转化是体系具有铁磁性的关键因素,即结晶体系内不同组分间的电荷转移是产生此类铁磁性的一个重要原因。此外,P3HT的结晶结构也有利于自旋的长程有序。在P3HT-nw/CH3NH3PbBr3电荷转移复合物内,随着355 nm激发光的变强,室温铁磁性、铁电性和磁电耦合效应都变得更强。研究有机电荷转移异质结内光的频率和强度相关的自旋极化和磁电耦合效应,有利于帮助我们理解光控有机材料中的自旋极化和磁电耦合效应。基于第一部分的工作得出的结论,在第二部分的工作中,我们目的性地制备了有机电荷转移复合物coronene-TCNQ共晶体系。如预期所料,我们观测到了它们室温下的铁磁性。另外,当晶胞体积或晶格常数不同时,晶体铁磁性有着显着的差异,同时,外磁场也可以改变晶体内给受体分子间的距离,所以在coronene-TCNQ系列晶体内存在自旋晶格耦合相关的磁弹耦合。结合理论计算,在coronene-TCNQ晶体内,coronene给体和TCNQ受体之间的电荷转移诱导的自旋能级的劈裂是该系列晶体在室温下具有铁磁性的原因。此外,晶胞体积的变化会使给受体材料内的电子晶格耦合系数发生不同的变化,也就从不同程度上改变了电子和空穴的局域度,进而使得自旋向上和向下的磁矩产生不一样的变化,最终改变了体系的自旋极化强度。在外磁场的作用下,给受体间的距离会轻微的减小,这也归因于coronene-TCNQ电荷转移晶体内的磁弹耦合效应。所以为了实现有机晶体内的磁弹耦合,需要考虑以下两个因素:1)有机晶体内电荷转移诱导的能级劈裂导致体系的自旋极化;2)给受体材料的自旋晶格相互作用系数不同,且自旋晶格相互作用较强。在第三部分的工作中,我们选取Bper（Bper=benzo[ghi]perylene）和FTCNQ（FTCNQ=2-fluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane）分别作为给受体,生长了有机电荷转移共晶Bper-FTCNQ。利用单晶XRD技术,解析得到了两种互为手性的Bper-FTCNQ晶体,并借助CD（圆二色）光谱进一步验证了两种手性结构的存在。研究发现这两种手性结构的Bper-FTCNQ电荷转移晶体都具有亚铁磁性,但是左手和右手手性的两种晶体对应的自旋极化大小以及反铁磁和铁磁相变点不同。我们也测试了晶体PL谱（光致发光）特征峰强度和电容随温度的变化关系,它们与磁化强度随温度的变化关系中的温度转变点大致相同。此研究工作说明有机手性材料中体系的自旋极化会因为左右手构型的不同而存在差异,时间反演对称性与空间反演对称性间存在着一定的联系,这也为制备多样化的有机亚铁磁体提供新的思路。
卢秋霞[4]（2021）在《有机半导体中纯自旋流输运的机理研究》文中指出有机半导体中碳原子sp2杂化轨道为电子传输提供了有效的通道,由于有机半导体具有制备成本低,可卷对卷加工,以及自身柔性、半透明、无污染等优点,目前已成为开发和制备新一代多功能电子器件的热点材料。尽管多种基于有机半导体的功能器件,如有机太阳能电池,有机发光二极管等已经在实验室中实现,且其中后者在显示屏方面已经实现了商业化应用。但是由于器件制备中较高的技术要求,急需进一步研究其中的内在机理以制备高效率,低成本的有机光电器件。受限于摩尔定律,以电荷为载体的集成电路芯片的发展已面临严重阻碍,包括更大的漏电流,更高的功耗和集成复杂度等。而自旋电子学的出现开辟了新的信息存储和输运通道,以自旋为载体的磁盘有效地避免了上述所提及的问题。1988年,巨磁电阻效应和隧道磁电阻效应相继在有机半导体材料中被发现,这为大幅提高数据存储密度提供了理论基础。同时催生了有机自旋电子学领域的发展。近几年,有机自旋电子学在实验方面发展迅速,包括纯自旋流注入和输运,以及手性有机半导体中的自旋选择效应引起的独特电、磁、光现象等。例如,2013年,Ando等人利用自旋泵浦技术和逆自旋霍尔效应首次在有机共轭聚合物PBTTT:PSS中验证了纯自旋流注入和输运。到目前为止,纯自旋流的注入和输运已经在多种聚合物和小分子材料中实现,甚至可以观测到大于1 μm的超长自旋扩散长度;2020年,焉勇教授等人在自组装的超螺旋导电高分子纤维器件中探测到高达80%的自旋过滤。随着实验的发展,很多基本现象依然缺乏清晰的理论解释。如有机磁效应的来源,纯自旋流输运的理论机制,以及有机手性分子中自旋选择效应来源等。考虑到有机半导体材料通常具有较强的电-声耦合作用,本论文在研究方法上以一维自旋相关的紧束缚近似下的Su-Schrieffer-Heeger（SSH）模型为基础,同时将多电子间的库伦相互作用和自旋交换相互作用,自旋轨道耦合,以及超精细相互作用考虑在内,研究了异质结结构有机发光二极管中的单态激子产率。此外,为研究有机半导体中的纯自旋流输运机制,我们还进一步建立了自旋密度和自旋相关电荷密度的动力学演化方程。通过求解方程,得到体系自旋流强度分布和自旋扩散长度,并和实验结果进行了对比。本论文的研究内容和结果如下:1.异质结结构诱导的高发光效率的有机发光二极管荧光发光器件中的内量子发光效率主要取决于其单态激子比例。按照激子统计,单态激子的形成比例为最高为25%。但该结论只有当有机发光二极管中单态和三态激子的形成速率完全相同且它们之间不存在相互转化时才成立。一旦计入系统的自旋轨道耦合或者超精细相互作用影响后,单态激子比例将受两方面影响:一、在异质结结构的有机发光二极管中,自旋相关作用可能影响单态和三态激子的形成速率,从而改变单态激子生成比例。二、自旋相关作用的引入使自旋不再是好的量子数,导致形成激子成为自旋混合态。也就是打破了原来纯的单三态间的自旋禁阻,引起单态和三态激子之间的相互转化,进而影响单态激子比例。本论文第三章研究了自旋相关作用以及异质结结构对单态激子比例的影响。在自旋相关作用影响下,将自旋混合态的激子向纯的单态和三态激子投影,统计得到体系中总的单态激子比例。研究发现自旋轨道耦合和超精细相互作用都能提高异质结结构有机发光二极管中的单态激子比例。此外,研究还表明单态激子的比例依赖于组成分子异质结的两种有机半导体材料以及异质结结构设计。2.高杂质浓度有机聚合物中交换耦合主导的自旋输运近几年,自旋泵浦激发的纯自旋流在有机半导体中注入和输运促使了人们对自旋输运机制的深入研究。相比于无机材料,有机材料通常具有较强的电-声耦合作用,导致其载流子为局域的极化子,因此无法通过带输运机制进行自旋输运。目前理论上提出的自旋输运机制包括交换耦合机制,跃迁机制以及杂质带输运。然而,关于哪种机制起主导作用的讨论及定量的理论计算依然缺少。本论文第四章从极化子间交换耦合机制出发,定量地给出了极化子间的交换耦合强度以及发生交换耦合的条件。发现当载流子浓度高于8×1017cm-3时,极化子间交换耦合主导的自旋输运才能实现。通过拟合实验,发现我们的理论结果和实验数据符合较好,进一步表明极化子间交换耦合是高杂质浓度有机半导体中自旋输运的主要通道。此外,我们还发现纯自旋流大小和杂质浓度的关系并不是单调的。这是因为在交换耦合主导的自旋输运中,尽管较大的杂质浓度增强了极化子间的交换耦合,有利于自旋输运。但是,自旋相关作用导致自旋输运过程中极化子自旋发生弛豫,由于在载流子浓度较大时,自旋流输运相同距离受到的自旋弛豫也就更强,从而导致自旋流在较高杂质浓度下发生快速衰减。因此,我们预测存在一个临界的载流子浓度使纯自旋流最大。3.低杂质浓度有机半导体中跃迁主导的自旋输运基于第二个工作,我们知道极化子交换耦合主导的自旋输运一般发生在杂质浓度较高的有机半导体中。然而,最近在低杂质浓度有机半导体中的纯自旋流输运也被观测到。比如,2020年,Groesbeck和Wittmann等人分别在载流子浓度为4.4±2 ×1015cm-3的SY-PPV有机共轭聚合物和浓度约为1014-1015 cm-3的DNTT分子中观测到约为37 nm和40 nm的自旋扩散长度。较低的杂质浓度使交换耦合机制不再适用。本论文第五章借助极化子跃迁图像研究了纯自旋流输运。通过计算,发现在低杂质浓度的有机半导体材料中,在界面自旋积累的驱动下,确实可以借助极化子跃迁图像进行自旋的扩散输运,进而引起自旋流输运,且理论上得到DNTT分子中的自旋扩散长度与实验数据相一致。进一步的理论模拟表明,对有机材料进行优化,比如抑制有机分子几何结构无序,减小分子重整能,或者增强有机材料的各向同性等,都可以增加纯自旋流的扩散长度。该研究为制备低能耗、可调控、长距离自旋输运的新型电子器件提供了理论指导。
高琨,秦伟,郝晓涛,解士杰[5]（2021）在《有机半导体激发态的量子调控》文中研究表明有机半导体激发态具有多样性和独特性,这使得有机器件呈现出丰富而特有的物理现象.从根本来说,有机器件的功能过程与这些激发态的动力学演化密切相关,包括产生、弛豫、输运、复合及相互转化等.目前,多种有机器件虽已被研制成功,但其功能机制中仍有许多未解之谜,其中激发态研究是重中之重,是有机半导体物理及器件研究的重心.多年来,我们基于有机半导体激发态独特的性质、相互作用及界面过程,围绕其功能器件中的关键科学问题,通过实验和理论相结合的手段,对其内部激发态的量子效应和调控开展了多尺度的深入研究.本文将结合相关研究背景对我们在有机光伏效应和有机自旋效应两方面的一些典型工作做简要介绍.
祝熙翔[6]（2020）在《有机和钙钛矿材料激发态下动力学过程的研究》文中研究指明随着科技的高速发展,有机材料和钙钛矿材料具有非常优异的光电特性,使得有机材料和钙钛矿材料在光伏、发光器件和探测器等光电应用方面具有很大潜力,从而使得有机材料和钙钛矿材料受到了器件和材料物理学家的广泛关注和研究。但是有机材料和钙钛矿材料目前距离实际的应用还有一定的距离。此论文利用磁-光-电的综合研究手段对有机和钙钛矿材料在激发态下的基本动力学过程展开了研究,通过研究和理解有机和钙钛矿材料的激发态下的基本输运和动力学物理过程,为材料化学合成和器件物理设计提供新的设计思路,从而进一步改善有机和钙钛矿材料,使其在光电实际应用方面的得到进一步发展。（1）界面传输层的利用对于广泛提高有机光伏效率至关重要。尽管人们关于界面传输层的电学和光学性质有一些基本认识,但是仍然缺少界面传输层对活性层的影响的完整认识。此工作中,基于ITO（玻璃）/PEDOT:PSS/PIDTDTQx:PC70BM/PFN/Al的有机体异质结（OBHJ）太阳能电池系统中,研究了关于界面传输层对器件的物理性能的影响并提出了新见解。通过改变修饰层的结构,在稳态下对器件进行了多次测量,研究了界面传输层在有机BHJ太阳能电池中的作用。实验结果证实了假设,即由于电子/空穴传输层的存在,有机光伏层(活性层,如PIDTDTQx:PC70BM)的光电性能会受到显着影响。通过实验研究基于有机材料PIDTDTQx:PC70BM的BHJ光伏器件界面陷阱相关态密度（DOS）,电子-空穴复合电阻(Rrecomb),复合寿命(τrecomb),激子寿命（τ）,光感应电极化,能量无序特性和磁场光电流,从而揭示并说明了界面修饰层对光伏层光电性能的影响。此实验研究指导人们重新考虑界面传输层在有机BHJ系统中的关键作用,即有机活性层的光电,介电和电子结构特性与界面传输层的存在紧密相关。此实验结果弥补了目前对人们对修饰层在有机太阳能电池中的两个主要认识:（i）由于界面传输层的存在,有机材料活性层的性质几乎没有改变（ii）它们主要有助于电荷载流子的提取和注入。（2）非富勒烯受体有机太阳能电池中,即使使用相对较小的驱动力也可以发生高效的激子解离,但尚不清楚在非富勒烯受体系统中存在的潜在能量损失,包括激子解离和电子-空穴复合。由于光伏层中分子随机分布以及存在给体-受体互穿网络,使得能量紊乱成为有机半导体和有机光伏层中的能量损失特征参数。与球形富勒烯衍生物类似物（如PCBM）相比,非富勒烯受体的分子结构完全不同,因此对非富勒烯受体有机太阳能电池陷阱相关的能量无序特性和分布的全面理解是进一步减少开路电压(Voc)损失的关键。在这项工作中,制备了结构为ITO（玻璃）/Zn O/PBDB-T:ITIC/Mo O3/Al的高效非富勒烯有机体异质结太阳能电池。光伏层中的聚合物给体PBDB-T和非富勒烯受体ITIC形成了有效的互穿网络结构。通过使用无损阻抗光谱技术对非富勒烯太阳能电池器件进行了测量,实验结果揭示了在此器件中存在表面和体陷阱态。更重要的是,通过不同频率下电容-电压测试结果得到两个和三个电容峰位可以看出,在非富勒烯受体的光伏层中存在深和浅的陷阱态,而且它们在能隙中具有不同的能量位置。此外,利用泵浦探测激光光谱测量（超快光谱测试）,发现陷阱态位于光吸收带边缘以下。这项工作对基于非富勒烯受体的有机体异质结系统中的陷阱态提供了新的认识,对最小化器件的能量损失从而优化器件性能具有重要意义。（3）在准二维钙钛矿薄膜中,发现了一个新的实现上转换光致发光（PL）方法,即:在通过在溶液处理准二维钙钛矿薄膜（PEA）2（MA）4Pb5Br16,n=5)中,直接用连续波（CW）红外光激发直接激发间隙态来生成两光子上转换光致发光。具体地,通过用CW 980nm激光激发来激发间隙态,观察到具有可见光且发光峰位位于520nm峰值的PL。同时,激发光与光致发光强度依赖关系测试结果表明在准二维钙钛矿膜中上转换PL是双光子吸收过程。此外,通过减小准二维钙钛矿薄膜的n值,发现会减小间隙态从而导致双光子上转换PL信号的急剧减小。这证实了间隙态确实是产生准二维钙钛矿中的双光子上转换PL的主要原因。此外,机械刮擦的实验结果表明,不同的n值纳米层在准二维钙钛矿薄膜中是均匀地排布而成的,从而能够产生多光子上转换光。更重要的是,实验发现双光子上转换PL对外部磁场很敏感,这表明间隙态本质上是空间扩展态。最后,偏振光相关的上转换PL研究表明,间隙态通过轨道-轨道相互作用,形成空间扩展态,从而在准二维钙钛矿中形成多光子上转换光致发光。
迟洋[7]（2020）在《稀土硫化物硼酸盐研究 ——合成、结构及光/磁性质》文中研究说明设计具有全新结构的晶体材料是一个极具吸引力的课题。结构决定性质,在科学发展中,结构更新颖的晶体可以发挥两种作用:其一是有助于研究和发展基础理论;其二是获得具有新颖性能或性能更优良的晶体材料以满足人们的生产生活需求。功能基元序构的高性能材料一直是科学研究的重点和前沿之一。晶体即是长程有序材料,对于如何获得具有全新结构或者优良性能的晶体,可能的思路之一是将两个或多个可以发挥不同效应的功能基元组合在一个结构中。从结构上讲这样得到的结构有更大机率是全新的;从构效关系上来讲,可以通过组合不同的功能基元到一个结构中,或者协调功能基元的有序排列方式,以此来获得性能优异和/或功能多样的晶体材料。本论文的研究首次将稀土离子、硫离子和硼酸根离子引入到一个结构中形成了稀土硫化物硼酸盐这个全新的化合物和结构体系。从光学材料应用的角度来讲,硫离子具有较大的离子极化率,而硼酸盐往往具有大的带隙。从磁性角度来说,稀土元素是非常好的磁性离子,而我国的稀土资源又非常的丰富。所以本研究的目的是将稀土离子、硫离子和硼酸根离子结合到一个结构中,合成具有这类新颖结构的晶体,并研究它们的光学和磁学性质。论文的主要工作如下:1.第一类稀土硫化物硼酸盐。研究了稀土硫化物硼酸盐RE3S3BO3（RE=Sm,Gd）的晶体结构及其光、磁性质。结构中包含（BO3）3-和S2-,且二者之间没有键合作用,所以这完全不同于常见的硫代硼酸盐和硫酸盐,这个结构的发现代表着一类全新的结构体系——稀土硫化物硼酸盐的诞生。Sm3S3BO3（SSBO）和Gd3S3BO3（GSBO）的实验光学带隙分别为2.50和2.65 eV。通过高精度全电子全势线性缀加平面波方法计算了GSBO的电子结构,结果显示GSBO为间接带隙半导体。SSBO表现出典型的Van Vleck型顺磁性,根据2-20K的低温磁化率估算了交换相互作用的强度,其geff值和居里-外斯温度分别为0.443和-2.87 K。而GSBO在低温下表现出反铁磁行为,奈尔温度约为5.9 K,渐进居里温度为-6.04 K。在此基础上,为了获得新奇的磁性,对磁性结构的维度进行了调控。2.双层稀土 Kagome结构。研究了稀土硫化物硼酸盐Eu6MgNb2S（B4O10）2O6（EMNSBO）,因为其中包含了 3种阴离子:S2-,（B4O10）8-和O2-,更确切的命名可以称之为氧硫化物硼酸盐。通过高精度全电子全势线性缀加平面波方法计算了其电子结构。尽管Eu3+的基态为非磁性离子,但是此结构出现了独特的稀土双层Kagome板结构,且双层-双层Kagome板的间隔距离达到了5.22 A,（B4O10）8-也是一种新颖的硼酸根。通过实验动态电荷密度拓扑分析确定了原子电荷,并对（B4O10）8-单元的实验变形动态电荷密度进行了研究。这些都为后续的研究提供了很好的借鉴。实验的光学带隙为～2.92 eV,变温磁化率测试表明EMNSBO展现出Van Vleck顺磁性。3.三层稀土 Kagome结构。研究了稀土硫化物硼酸盐Eu9MgS2B20O41（EMSBO）,并对其结构和物理性质进行了表征。EMSBO中包含独特的三层Eu3+-Eu2+-Eu3+Kagome板结构,在板状结构中,Eu2+和Eu3+的Kagome层之间发生了价间电荷转移,实验与理论分析表明价间电荷转移为稳定自旋量子涨落提供了全新的通道。晶体的磁化率和热容与其他典型材料的量子自旋液体行为具有非常相似的特征。为了得到具有倍频效应的稀土硫化物硼酸盐,对结构的对称性进行了调控。4.非中心对称稀土硫化物硼酸盐。研究了 Eu2B5O9S（EBOS）的晶体结构及光、磁性质。此结构虽然是非中心对称的,但是没有检测到明显的倍频信号。结合紫外可见漫反射和第一性原理计算,推测样品存在的强烈的电荷转移态吸收和自身小的二阶非线性光学系数是导致晶体没有明显的倍频效应的原因。磁性测试表明EBOS为铁磁性材料,居里温度为～16.0 K。5.具有二阶非线性光学效应的非中心对称稀土硫化物硼酸盐。在上一章的基础上,通过调整合成策略得到了硫化物硼酸盐Fu4.5（B5O9）2SI（EBOSI）,更确切的命名可以叫做硫卤化物硼酸盐,此物质也是发现的第一例硫属卤化物硼酸盐。EBOSI表现出良好的二阶非线性光学行为,即中等强度的粉末倍频效应,约为AgGaS2的0.5倍,高的抗激光损伤阈值,约为AgGaS2的15倍,且可以实现相位匹配。通过理论计算验证了结构设计策略和实验结果,并发现结构中的Eu2+阳离子对材料的倍频系数具有很大的贡献。磁性测试表明EBOSI存在反铁磁性相互作用,但是直到2 K亦没有出现反铁磁有序。
许学莉[8]（2020）在《复杂氧化物的非线性光谱与强磁场下光谱研究》文中研究说明光学一直以来都是物理学中重要的一部分。随着强磁场技术的不断发展与完善,运用强磁场下的光谱技术发现了材料中许多新的物理现象,也解答了许多物理疑问,比如探究强磁场诱导的绝缘体金属相变的内在机理。除此之外,伴随着激光的飞速发展,非线性光学尤其是二阶非线性光学（SHG）也被广泛的用于探究薄膜和复合材料的表面和界面状态以及材料的晶格,铁电,铁磁结构。尤其是对于一些表面比较脆弱的材料和异质结,二阶非线性光学表现出了很强的优势。本文介绍了强磁场下的光谱和非线性光学两种技术手段在探究材料物性上的应用。主要工作内容如下:首先在绪论部分,我们分别对强磁场下的光谱和非线性光学做了概括介绍。第二节介绍了强磁光实验在国际上的发展及研究现状。第三节介绍了非线性光学尤其是二阶非线性光学的原理,及在材料中的应用。第四节主要介绍了本文的研究动机及研究内容。第二章介绍了我们实验室中搭建的SHG光路系统。第一节主要介绍了 SHG光路系统的搭建以及激光器,光电倍增管,锁相等元件的使用情况。第二节简单介绍了基于此光路系统的Labview数据采集系统,以及适合我们光路的两种运行程序。第三节介绍了基于此光路系统的Matlab数据仿真系统。通过这个仿真系统我们可以模拟出不同样品的SHG极化图。第四节介绍了基于这些测试系统进行的相关合作。比如用显微SHG光路探究二硫属化合物WSe2的结构,表征薄膜材料的铁电相变温度等。第三章主要介绍了用磁光谱的方法研究了具有G型反铁磁结构的双层钌氧化物Ca3（Ru0.91Mn0.09）207（CRMO）单晶。发现CRMO单晶中不仅存在磁场和温度诱导的金属绝缘体转变。而且通过对磁光谱精细特征的分析,发现CRMO中Ru离子的4d轨道在低温下是处于反铁磁/铁轨序（AFM/FO）结构,且在金属绝缘体相变的关键点附近存在相分离。第四章主要介绍了我们利用非线性光学中二次谐波的技术发现了钛/疲劳钛酸锶异质结界面处的极化整流效应。并通过拉曼,介电等测量手段发现这种疲劳的钛酸锶处于原始铁电态与铁电态之间的中间态。我们通过反复施加电压的方法在Ti/SrTiO3/Au异质结的Ti/SrTiO3的界面处引入了适量的氧空位。这些氧空位和其周围的巡游电子组成了“极化子”。我们利用二次谐波的技术测量了不同方向电压下的电极化,验证了这种“极化子”的极化整流效应。另外,通过不同温度,不通电场下的拉曼,介电等测量手段还发现这种疲劳的SrTiO3展现出了预铁电态效应。这些发现不仅为进一步研究钙钛矿氧化物的铁电态提供了途径,而且提出了一种新型的电极化整流装置,可能成为未来电子器件的基础。第五章主要介绍了 MOF材料中的非线性光学效应。MOF由于其骨架型结构等独特的优势使其成为了一个高度可调的平台,在光学、电学、磁性材料、化学传感、催化和生物医学等领域都有着巨大的应用潜力。尤其是在近几年来,表现出优异的非线性光学性质,使其成为最有潜力被利用的固态非线性材料之一。我们也介绍了相关的实验进展,为构建出非线性性能更好的MOF材料,我们设计了一种新的配体结构的MOF-1,并对其进行了光学性能表征。目前该实验还在进行中。第六章是工作总结和展望,强磁光在材料的物性表征中发挥着越来越重要的作用。利用强磁光也发现了很多之前未发现的物理现象,解决了很多物理问题。伴随着强磁场技术的发展,我们也会提高强磁场下光谱技术的测量范围、精度,以期能够更广泛的应用在材料的物性表征中。非线性光学尤其是二阶非线性光学具有对晶体对称性敏感、非接触性、不需加工、操作方便等优点。已经被越来越广泛的被应用到新型材料的物性表征中。但我们对于材料的光学研究还处于初步发展阶段,有一些问题和技术仍需要深入的研究。
李成龙[9]（2019）在《稀土（或过渡金属）有机二羧酸二元配合物单晶的合成和性质》文中研究表明稀土或过渡金属离子与有机羧酸配体的自组装组合引起了人们的极大关注。金属配位聚合物的有趣结构拓扑迷离导致在许多领域中作为功能材料的广泛潜在应用。本文利用稀土金属离子的有限性与配体的选择的无限性相结合,通过选用适当的配体可以合成具有新颖结构与功能的稀土金属配合物。为了获得具有新颖结构的稀土金属或过渡金属配合物,本论文选用稀土金属离子或过渡金属铜离子,2,6-吡啶二羧酸为配体,通过改变反应摩尔配比和pH值来合成配合物。用X单晶衍射对稀土配合物进行结构确认和分析,采用热重分析法和差示扫描量热法讨论了配合物的热稳定性,通过摩尔磁化率和温度的关系推测配合物中金属离子的相互作用,推测配合物的磁性质。（1）利用水热法,通过改变配比和pH值,得到不同结构的稀土金属2,6-吡啶二羧酸二元配合物和过渡金属铜-丁二酸配合物,[Ho3（2,6-dipic）6（H2O）4]n·8H2、Ho（2,6-dipic）3Na3O18、Ho（2,6-dipic）3·10H2O、[EuO（2,6-dipic）2·（H2O）3]n、[Dy（2,6-dipic）3]n·10H2O、[Nd（2,6-dipic）2]n·6H2O及Cu4（C4H5O4）2·（H2O）4。（2）通过X单晶衍射对所合成的晶体进行分析,得到晶体组成和结构,以及键长、键角等数据,结合数据对配体的结构进行分析。（3）对合成的Ho（2,6-dipic）3Na3O18、Ho（2,6-dipic）3·10H2O、[Eu（2,6-dipic）2·（H2O）3]n进行热力学研究,通过DSC曲线,再结合TG分析,推导出配合物热分解机理。（4）通过对配合物Ho（2,6-dipic）3Na3O18、[Nd（2,6-dipic）2]n·6H2O、[Eu（2,6-dipic）2·（H2O）3]n的磁性质进行分析计算。利用单晶的摩尔磁化率与温度的乘积-温度（χmT-T）曲线,分析0300 K温度范围内,χmT值随温度的变化趋势,推测配合物中,稀土离子之间的相互作用和配合物的磁性。
李强[10]（2018）在《强磁场对含钛高炉渣及组分在微观结构和吸光性能方面影响的研究》文中研究说明攀枝花含钛高炉渣的大量堆积,造成严重资源浪费和环境污染,虽对其进行了半个多世纪的研究,也取得了一些科研成果,但仍未实现大规模综合利用。根据TiO2具有光催化的特点,研究发现攀枝花含钛高炉渣也具有分解有机物、杀菌等光催化性能,这为其综合利用开辟了 一条新路径。强磁场直接作用于材料上产生了大量的新现象和新发现,这是当前材料研究和制备的热点之一,但该类研究多集中于金属材料。本文通过高温下强磁场处理含钛高炉渣及其主要成分,探讨了强磁场对弱磁性无机物在微观结构、晶格常数、吸光性能以及光催化效果等方面的影响,这对含钛高炉渣的综合利用和磁学研究都是有益的探索。本文主要的研究和结论分为以下几个方面:（1）含钛高炉渣中的Ti主要存在于CaTiO3中;800℃下,强磁场对含钛高炉渣的催化活性有影响,其中磁场6T时活性最佳,但磁场过高会降低光催化性能;对磁处理前后含钛高炉渣的各种检测分析发现:磁场增大,XRD峰右移,对应晶面间距减小,且有个别峰高度改变,这说明磁场有选择性地促进了某些晶面的有序性;SEM显示磁场可加剧含钛高炉渣样品表面熔融状态;UV-vis表明磁处理降低了在短波区域的吸光能力,提高了对450nm以上光的吸收;磁处理后含钛高炉渣的Raman峰的强度、位置都有改变,主要是所含的钙钛矿CaTiO3和透辉石CaMg（SiO3）2的微观结构发生了变化,造成了对应化学键的扭曲或拉伸;实验所用的红外光谱精度较低,只发现950cm-1处的峰的位置随磁场增强而左移。（2）溶胶-凝胶法制备了纳米级锐钛矿TiO2及其掺杂样品。400℃煅烧凝胶粉末后所得到的TiO2样品光催化性能优异,最佳Fe3+离子掺杂浓度为10-4;磁场对光催化性能有明显的影响,400℃环境下3T磁场处理0.5h后可以提高掺杂Fe3+的锐钛矿样品的催化性能。1000℃环境下,随着磁场强度增大,制得的金红石型TiO2晶格常数和晶面间距皆变小,磁场对晶格常数的改变是非线性的,6T磁场强度前后改变最显着,单纯的1000℃高温二次热处理可基本消除强磁场对晶格参数的影响;强磁场条件下制备的所有金红石样品,其拉曼特征峰都未发生明显移动,但峰的强度变化显着,尤其是6T金红石样品的特征峰强度相较3T样品有明显的增大,但磁场强度超过6T以后,对应样品的拉曼峰强度彼此变化很小,此外6T金红石样品其吸光性能最差。由于金红石的光催化性能很差,故未做降解亚甲基蓝的光催化对比实验。（3）将CaCO3、TiO2粉末均匀混合、压片后,在1500℃下保温2h可以制得CaTiO3,800℃下焙烧硝酸盐浸渍CaTiO3粉末获得阳离子掺杂样品;掺杂相同浓度的Fe3+、Mg2+、Mn2+（mol:mol=0.005）后光催化性能降低,其中Mn2+降低最严重。CaTiO3禁带宽度为3.50eV,掺杂后在禁带内引入杂质能级,显着提高光的吸收能力,且浓度越大,吸收带边红移越显着,光吸收也越强,但催化效果降低,原因可能是掺杂的阳离子有利于光生空穴-电子对复合所致;相同掺杂浓度下,磁制备样品的吸光性能均比非磁制备样品有所提高。强磁场处理CaTiO3晶体粉末后发现其XRD曲线峰左移,晶胞变大,UV-vis分析表明磁处理后禁带宽度变窄,所有样品吸收带边红移,提高了对可见光的吸收。所有CaTiO3及相关样品禁带都比较宽,分解亚甲基蓝有机分子的能力均很弱。（4）透辉石CaMg（SiO3）2的制备与CaTiO3类似。Castep模拟结果表明透辉石的禁带约5eV,样品中的掺杂离子Fe3+、Mn2+更倾向于取代Mg2+位而非Ca2+位,掺杂后生成的杂质能级有利于光吸收,且实验中也发现随着掺杂离子浓度的升高,吸光性能随之提高;相同掺杂浓度下,样品吸光性能与磁场强度和掺杂离子种类相关。随着磁场强度的增大,透辉石的（311）晶面对应的XRD峰也逐渐增高,表明了磁处理也可以促进该晶面的有序性;Raman光谱显示,磁处理前所有样品的671cm-1峰均比1015cm-1峰强,磁处理后所有样品的这两峰强度却出现反转;此外磁处理还能使330cm-1和395cm-1峰轮廓更加显现,这表明磁处理改变了这两峰对应的离子间的相对位置和晶面间距,增大了对应化学键的键极化率。
二、发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象（论文提纲范文）
（1）手性有机半导体激发铁磁性的机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机半导体 |
| 1.1.1 有机半导体中的电子结构 |
| 1.1.2 有机半导体中的局域态以及自旋特性 |
| 1.1.3 有机半导体中的自旋注入与极化 |
| 1.2 手性有机材料 |
| 1.2.1 手性材料的光学特性 |
| 1.2.2 手性材料的自旋选择特性 |
| 1.2.3 手性自旋电子学的理论研究热点 |
| 1.3 本论文研究思路和内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 手性有机半导体及其复合物的研究方法 |
| 2.1 有机共轭体系的一维紧束缚模型(SSH模型) |
| 2.2 电子—电子相互作用(扩展的SSH模型) |
| 2.3 自旋轨道耦合作用 |
| 2.4 手性分子中的A-B效应 |
| 2.5 偏振光激发电子跃迁选择定则 |
| 参考文献 |
| 第三章 手性有机半导体的自发电荷转移磁矩 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 模型与方法 |
| 3.3 非手性有机半导体的自发电荷转移磁矩 |
| 3.4 手性有机半导体的自发电荷转移 |
| 3.5 手性有机半导体的自旋极化 |
| 3.6 螺旋结构对手性有机半导体自旋极化的影响 |
| 3.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 手性有机半导体中偏振光激发铁磁性 |
| 4.1 研究背景 |
| 4.2 模型与方法 |
| 4.3 有机半导体中电子自旋与光子的耦合 |
| 4.4 非手性有机半导体中的偏振光激发 |
| 4.5 手性有机半导体中的偏振光激发 |
| 4.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结与展望 |
| 攻读硕士学位期间发表文章及参与课题 |
| 致谢 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（2）有机共晶中分子排布对自旋效应影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 引言 |
| 1.1 有机分子排布 |
| 1.2 有机共晶 |
| 1.2.1 有机共晶简介 |
| 1.2.2 有机共晶制备方法 |
| 1.3 有机共晶分子排布 |
| 1.3.1 调控晶体排布方法 |
| 1.3.1.1 生长条件影响分子排布 |
| 1.3.1.2 外场调控分子运动 |
| 1.3.2 分子排布调控性质 |
| 1.4 有机共晶中电子自旋 |
| 1.4.1 有机电子学 |
| 1.4.2 调控晶体电子自旋 |
| 1.4.3 光子与电子自旋的相互作用 |
| 1.5 本文的研究思路和内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 光场调节共晶内分子排布对自旋效应的影响 |
| 2.1 研究背景 |
| 2.2 实验结果与讨论 |
| 2.2.1 偏振光调节分子运动 |
| 2.2.2 磁场调节电子自旋 |
| 2.2.3 低温下偏振光调节电子自旋 |
| 2.3 实验部分 |
| 2.4 本章总结 |
| 参考文献 |
| 三、共晶内给体与受体排布位形对自旋效应的影响 |
| 3.1 研究背景 |
| 3.2 实验结果与讨论 |
| 3.2.1 不同排布位型的晶体结构 |
| 3.2.2 不同共晶排布位型磁场操控自旋 |
| 3.3 实验部分 |
| 3.4 本章总结 |
| 参考文献 |
| 四、总结与展望 |
| 致谢 |
| 攻读硕士期间成果 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（3）有机电荷转移复合物中的自旋极化调控（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机半导体材料 |
| 1.1.1 基本分类 |
| 1.1.2 电子结构 |
| 1.1.3 空间结构和对称性 |
| 1.1.4 载流子特点 |
| 1.2 有机电荷转移复合物 |
| 1.2.1 分类 |
| 1.2.2 作用力 |
| 1.2.3 制备方法 |
| 1.2.4 应用 |
| 1.3 有机自旋电子学 |
| 1.3.1 自旋相互作用 |
| 1.3.2 磁场效应 |
| 1.3.3 电荷注入引起的自旋极化 |
| 1.3.4 自发自旋极化 |
| 1.4 本论文的研究内容和意义 |
| 参考文献 |
| 第二章 有机电荷转移复合物P3HT-nw/CH_3NH_3PbBr_3内的光控自旋极化和磁电耦合效应 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 实验材料 |
| 2.2.2 样品和器件制备 |
| 2.2.3 形貌表征 |
| 2.2.4 样品的测试 |
| 2.3 结果与讨论 |
| 2.3.1 基本性质 |
| 2.3.2 自旋极化及其物理机制 |
| 2.3.3 磁电耦合效应 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 有机电荷转移复合物coronene-TCNQ的铁磁性及磁弹耦合效应 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 实验材料 |
| 3.2.2 晶体生长 |
| 3.2.3 器件的制备 |
| 3.2.4 样品的测试 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 基本性质 |
| 3.3.2 自旋极化及其物理机制 |
| 3.3.3 磁弹耦合效应 |
| 3.4 本章小节 |
| 参考文献 |
| 第四章 有机手性电荷转移复合物Bper-FTCNQ的亚铁磁性 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 实验材料 |
| 4.2.2 晶体生长 |
| 4.2.3 样品和器件的制备 |
| 4.2.4 样品的测试 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 基本性质 |
| 4.3.2 亚铁磁性及其相关效应 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 总结与展望 |
| 攻读博士学位期间成果 |
| 致谢 |
| 附录：英文论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（4）有机半导体中纯自旋流输运的机理研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 有机半导体材料 |
| 1.1.1 有机半导体的电子结构 |
| 1.1.2 有机发光二极管 |
| 1.2 有机自旋电子学 |
| 1.2.1 有机自旋电子学的发展 |
| 1.2.2 有机自旋电子学的最新进展 |
| 1.3 纯自旋流的产生和探测 |
| 1.3.1 纯自旋流 |
| 1.3.2 自旋泵浦 |
| 1.3.3 纯自旋流的探测 |
| 1.4 本论文涉及的热点问题及研究思路 |
| 参考文献 |
| 第二章 有机半导体中的研究方法 |
| 2.1 一维有机共轭体系的SSH模型 |
| 2.2 自旋相关作用 |
| 2.2.1 电子-电子相互作用 |
| 2.2.2 自旋-自旋相互作用 |
| 2.2.3 自旋轨道耦合 |
| 2.2.4 超精细相互作用 |
| 2.3 主方程方法 |
| 参考文献 |
| 第三章 异质结结构诱导的高发光效率的有机发光二极管 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 模型和公式 |
| 3.3 自旋相关作用对单态激子比例的调控 |
| 3.4 不同链间构型对单态激子比例的调控 |
| 3.5 电-声耦合对单态激子比例的调控 |
| 3.6 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 高杂质浓度有机半导体中交换耦合主导的自旋输运 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 模型和公式 |
| 4.3 极化子间的交换耦合强度 |
| 4.4 杂质浓度对自旋流强度的调控 |
| 4.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 低杂质浓度有机半导体中跃迁主导的自旋输运 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 模型和公式 |
| 5.3 跃迁机制下的自旋输运 |
| 5.4 各向异性对自旋输运的影响 |
| 5.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 总结与展望 |
| 攻读博士期间发表的论文 |
| 攻读博士期间参与的课题及参加的学术会议 |
| 致谢 |
| 附录：英文论文 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 |
（5）有机半导体激发态的量子调控（论文提纲范文）
| 1 有机半导体激发态的基本图像 |
| 2 有机光伏效应 |
| 2.1 微纳形态调控 |
| 2.1.1 溶剂添加剂调控 |
| 2.1.2 氧化石墨烯调控 |
| 2.2 三元协同作用机制 |
| 2.2.1 相分布优化 |
| 2.2.2 能量转移和能级级联协同效应 |
| 2.3 光激发动力学 |
| 2.4 界面电荷分离动力学 |
| 2.4.1 非均匀电场机制 |
| 2.4.2 非均匀分子排列机制 |
| 2.4.3 非均匀温度场机制 |
| 3 有机自旋效应 |
| 3.1 有机自旋注入与输运 |
| 3.2 有机磁场效应 |
| 3.3 有机激发铁磁性 |
| 3.4 有机手性自旋效应 |
| 3.5 有机纯自旋流 |
| 4 总结与展望 |
（6）有机和钙钛矿材料激发态下动力学过程的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 序言 |
| 1 引言 |
| 1.1 有机半导体材料 |
| 1.1.1 有机半导体材料的基本特性 |
| 1.1.2 有机半导体材料的种类 |
| 1.1.3 有机半导体材料的光电特性 |
| 1.2 有机太阳能电池 |
| 1.2.1 体异质结有机太阳能电池的基本工作原理 |
| 1.2.2 体异质结有机太阳能电池的性能参数 |
| 1.3 有机太阳能电池阻抗谱的研究 |
| 1.3.1 电容-频率特性曲线 |
| 1.3.2 电容-电压特性曲线 |
| 1.3.3 Nyquist特性曲线 |
| 1.3.4 介电特性曲线 |
| 1.4 有机材料磁场效应研究 |
| 1.4.1 电致发光的磁场效应 |
| 1.4.2 光致发光的磁场效应 |
| 1.4.3 光电流的磁场效应 |
| 1.5 钙钛矿材料 |
| 1.5.1 钙钛矿材料的基本性质 |
| 1.5.2 钙钛矿材料的光电特性 |
| 1.6 钙钛矿材料的应用 |
| 1.6.1 钙钛矿太阳能电池 |
| 1.6.2 钙钛矿发光二极管 |
| 1.6.3 钙钛矿光电探测器 |
| 1.6.4 钙钛矿材料非线性光学的应用 |
| 2 重新认识界面传输层对有机体异质结系统的影响 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验细节 |
| 2.2.1 器件制备 |
| 2.2.2 测试方法 |
| 2.3 实验结果与讨论 |
| 2.3.1 有机太阳能电池基本光伏特性 |
| 2.3.2 三种结构器件光伏特性参数与光强的变化关系 |
| 2.3.3 三种结构器件电容-电压特性测试 |
| 2.3.4 三种结构器件电荷复合电阻与激子寿命 |
| 2.3.5 三种结构器件紫外线光电发射光谱 |
| 2.3.6 三种结构器件介电参数测试 |
| 2.3.7 三种结构器件磁场效应研究 |
| 2.4 结论 |
| 3 探索非富勒烯受体ITIC有机体异质结光伏系统的深、浅陷阱态 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验细节 |
| 3.2.1 器件制备 |
| 3.2.2 测试方法 |
| 3.3 实验结果与讨论 |
| 3.3.1 器件基本信息 |
| 3.3.2 稳态下阻抗 |
| 3.3.3 电容-电压-频率三维谱线 |
| 3.3.4 超快光谱的测试 |
| 3.4 结论 |
| 4 通过空间扩展的间隙态在准二维钙钛矿薄膜中实现双光子上转换光致发光 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验细节 |
| 4.2.1 薄膜制备 |
| 4.2.2 测试方法 |
| 4.3 结果与讨论 |
| 4.3.1 准二维钙钛矿上转换发光光谱与吸收光谱 |
| 4.3.2 不同n值二维钙钛矿间隙态的研究 |
| 4.3.3 反溶剂与非反溶剂制备方法对间隙态影响的研究 |
| 4.3.4 利用刮涂工艺研究准二位钙钛矿分布问题 |
| 4.3.5 利用磁场效应手段验证间隙发光态 |
| 4.3.6 利用极化偏振光研究间隙态 |
| 4.4 结论 |
| 5 结论 |
| 参考文献 |
| 作者简历及攻读博士学位期间取得的研究成果 |
| 学位论文数据集 |
（7）稀土硫化物硼酸盐研究 ——合成、结构及光/磁性质（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 背景与研究设计 |
| 1.1.1 多功能基元晶体 |
| 1.1.2 从硫化物、硼酸盐到硫化物硼酸盐 |
| 1.1.3 具有光/磁性质的稀土硫化物硼酸盐 |
| 1.2 稀土离子的电子结构、磁性与其形成的Kagome结构的几何阻挫系统 |
| 1.2.1 4f轨道波函数及其图象 |
| 1.2.2 凝聚态物质的磁性 |
| 1.2.3 Kagome结构的几何阻挫系统 |
| 1.3 混合阴离子硫属化合物/硼酸盐类型二阶非线性光学晶体 |
| 1.3.1 二阶非线性光学晶体的对称性要求 |
| 1.3.2 混合阴离子硫属化合物/硼酸盐类型二阶非线性光学晶体进展 |
| 1.4 硫化物硼酸盐晶体的合成方法 |
| 1.5 研究内容及创新点 |
| 1.5.1 研究内容概要 |
| 1.5.2 论文创新点 |
| 第二章 硫化物硼酸盐RE_3S_3BO_3(RE=Sm,Gd):晶体结构及光、磁性质研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 实验部分 |
| 2.2.1 合成 |
| 2.2.2 表征 |
| 2.3 理论计算 |
| 2.4 结果与讨论 |
| 2.4.1 晶体结构 |
| 2.4.2 光学性质 |
| 2.4.3 磁性 |
| 2.4.4 理论研究 |
| 2.5 本章小结 |
| 第三章 双层稀土Kagome体系氧硫化物硼酸盐Eu_6MgNb_2S(Ba_4O_(10))_2O_6:晶体结构及光、磁性质研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 合成 |
| 3.2.2 表征 |
| 3.3 理论计算 |
| 3.4 结果与讨论 |
| 3.4.1 晶体结构 |
| 3.4.2 光学性质 |
| 3.4.3 磁性 |
| 3.4.4 理论研究 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 三层稀土Kagome体系硫化物硼酸盐Eu_9MgS_2B_(20)O_(41):晶体结构及光、磁性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 合成 |
| 4.2.2 表征 |
| 4.3 理论计算 |
| 4.4 结果与讨论 |
| 4.4.1 晶体结构 |
| 4.4.2 光学性质 |
| 4.4.3 磁性 |
| 4.4.4 理论研究 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 非中心对称硫化物硼酸盐EU_2B_5O_9S:晶体结构及光、磁性质研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 实验部分 |
| 5.2.1 合成 |
| 5.2.2 表征 |
| 5.3 理论计算 |
| 5.4 结果与讨论 |
| 5.4.1 晶体结构 |
| 5.4.2 光学性质 |
| 5.4.3 磁性 |
| 5.4.4 理论研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 非中心对称碘硫化物硼酸盐Eu_(4.5)(B_5O_9)_2SI:晶体结构及光、磁性质研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 实验部分 |
| 6.2.1 合成 |
| 6.2.2 表征 |
| 6.3 理论计算 |
| 6.4 结果与讨论 |
| 6.4.1 晶体结构 |
| 6.4.2 光学性质 |
| 6.4.3 磁性 |
| 6.4.4 理论研究 |
| 6.5 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 稀土硫化物硼酸盐的结构与性质规律 |
| 7.2 展望 |
| 附录: 论文涉及的理论计算方法 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（8）复杂氧化物的非线性光谱与强磁场下光谱研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 强磁场条件下材料光谱测量 |
| 1.2.1 美国/中国强磁场实验室高场材料光谱测量系统简介 |
| 1.2.2 强磁场条件下材料光谱研究进展 |
| 1.3 非线性光学简介 |
| 1.3.1 非线性光学的起源及发展 |
| 1.3.2 二阶非线性光学简介 |
| 1.3.3 SHG技术在材料中的应用 |
| 1.4 研究动机和研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 二阶非线性光路的搭建 |
| 2.1 二阶非线性强度测量系统的搭建 |
| 2.1.1 实验系统总体分析 |
| 2.1.2 45°反射SHG光路的搭建 |
| 2.1.3 显微SHG光路的搭建 |
| 2.1.4 样品腔简介 |
| 2.2 LABVIEW数据采集系统 |
| 2.2.1 45°反射/显微SHG采集系统 |
| 2.2.2 mapping数据采集系统 |
| 2.3 MATLAB数据仿真系统 |
| 2.4 实验数据测量 |
| 2.4.1 基于高温加热平台数据测量 |
| 2.4.2 加电场的SHG数据测量 |
| 2.4.3 基于9T的磁场数据测量 |
| 2.4.4 显微SHG数据测量 |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 Ca_3(Ru_(0.91)Mn_(0.09))_2O_7在强磁场下的光谱研究 |
| 3.1 前言 |
| 3.2 实验部分 |
| 3.2.1 样品生长 |
| 3.2.2 强磁场下反射光谱的测量 |
| 3.2.3 强磁场下的电输运性质测量 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 CRMO随温度变化的输运性质 |
| 3.3.2 谷α的来源 |
| 3.3.3 磁场诱导的绝缘体-金属相变 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 钛酸锶基异质结中的极化整流效应和预铁电态 |
| 4.1 前言 |
| 4.2 实验部分 |
| 4.2.1 样品制备 |
| 4.2.2 疲劳过程 |
| 4.2.3 二次谐波光路介绍 |
| 4.3 结果和讨论 |
| 4.3.1 疲劳Ti/STO异质结中极化整流效应的形成 |
| 4.3.2 疲劳Ti/STO中氧空位的确定 |
| 4.3.3 疲劳STO中的预铁电态 |
| 4.3.4 Ti/STO/Au中带结构的计算 |
| 4.3.5 疲劳钛酸锶表面氧空位的浓度估计 |
| 4.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 MOF的非线性光学研究 |
| 5.1 前言 |
| 5.2 MOF材料在非线性领域的研究进展 |
| 5.2.1 MOF材料简介 |
| 5.2.2 MOF材料的非线性光学研究 |
| 5.3 实验部分 |
| 5.3.1 MOF材料的设计与制备 |
| 5.3.2 MOF材料的非线性光学研究 |
| 5.4 小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 全文总结与展望 |
| 致谢 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 |
（9）稀土（或过渡金属）有机二羧酸二元配合物单晶的合成和性质（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 1 文献综述 |
| 1.1 稀土有机酸配合物 |
| 1.1.1 稀土金属 |
| 1.1.2 配位化合物 |
| 1.2 羧酸类稀土配合物 |
| 1.2.1 羧酸类稀土配合物分类及结构 |
| 1.2.2 羧酸类稀土配合物合成 |
| 1.2.3 羧酸类稀土配合物应用 |
| 1.3 稀土羧酸二元配合物的研究进展 |
| 1.4 本论文研究的内容、选题意义及创新点 |
| 1.4.1 研究内容 |
| 1.4.2 选题意义 |
| 1.4.3 创新点 |
| 2 实验部分 |
| 2.1 实验原料 |
| 2.2 实验仪器 |
| 2.3 稀土羧酸配合物的合成方法 |
| 2.3.1 稀土高氯酸盐(RE~(3+))的配置方法 |
| 2.3.2 稀土钬2,6-吡啶二羧酸配合物的合成 |
| 2.3.3 稀土钕2,6-吡啶二羧酸配合物的合成 |
| 2.3.4 稀土镝2,6-吡啶二羧酸配合物的合成 |
| 2.3.5 过渡金属铜丁二酸配合物的合成 |
| 2.3.6 稀土铕2,6-吡啶二羧酸配合物的合成 |
| 2.4 表征方法 |
| 2.4.1 磁性质分析 |
| 2.4.2 X射线单晶衍射 |
| 2.4.3 DSC、TG实验 |
| 3 稀土金属2,6-吡啶二羧酸二元配合物 |
| 3.1 Ho(2,6-dipic)_3Na_3O_(18) 配合物性质的研究 |
| 3.1.1 Ho(2, 6-dipic)_3Na_3O_(18) 的晶体结构 |
| 3.1.2 Ho(2, 6-dipic)_3Na_3O_(18) 的热力学性质 |
| 3.1.3 Ho(2, 6-dipic)_3Na_3O_(18) 的磁学性质 |
| 3.2 [Ho_3(2, 6-dipic)_6(H_2O)_4]_n·8H_2O的晶体结构 |
| 3.3 Ln(2, 6-dipic)_3·10H_2O, (Ln=Ho,Dy) 配合物性质的研究 |
| 3.3.1 Ln(2, 6-dipic)_3·10H_2O, (Ln=Ho,Dy)的晶体结构 |
| 3.3.2 Ho(2, 6-dipic)_3·10H_2O的热力学性质 |
| 3.3.3 Ho(2, 6-dipic)_3·10H_2O的磁学性质 |
| 3.4 [Nd(2, 6-dipic)2]_n·6H_2O配合物性质的研究 |
| 3.4.1 [Nd(2, 6-dipic)_2]_n·6H_2O的晶体结构 |
| 3.4.2 [Nd(2, 6-dipic)_2]_n·6H_2O的热力学性质 |
| 3.4.3 [Nd(2, 6-dipic)_2]_n·6H_2O的磁学性质 |
| 3.5 [Eu(2, 6-dipic)_2·(H_2O)_3]_n配合物性质的研究 |
| 3.5.1 [Eu(2, 6-dipic)2·(H_2O)_3]_n的晶体结构 |
| 3.5.2 [Eu(2, 6-dipic)2·(H_2O)_3]_n的磁学性质 |
| 4 过渡金属丁二酸二元配合物 |
| 4.1 Cu_4(C_4H_5O_4)_2·(H_2O)_4的晶体结构 |
| 5 结论 |
| 6 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 |
（10）强磁场对含钛高炉渣及组分在微观结构和吸光性能方面影响的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 含钛高炉渣成因、组分与应用 |
| 1.1.1 我国钛资源的分布特点及开发应用状况 |
| 1.1.2 含钛高炉渣的产生与危害 |
| 1.1.3 含钛高炉渣的综合利用 |
| 1.1.4 直接利用含钛高炉渣中TiO_2化学性能的应用 |
| 1.1.5 高效光催化材料的设计与制备 |
| 1.2 强磁场 |
| 1.2.1 磁场的分类及应用 |
| 1.2.2 强磁场对物质的作用原理 |
| 1.2.3 强磁场在材料科学研究中的应用 |
| 1.2.4 EPM |
| 1.3 本课题的提出与研究内容 |
| 1.3.1 本课题的提出 |
| 1.3.2 本课题的主要研究内容 |
| 第2章 强磁场对含钛高炉渣光催化的影响 |
| 2.1 含钛高炉渣的理化性质 |
| 2.2 含钛高炉渣的光催化机理 |
| 2.2.1 TiO_2光催化机理 |
| 2.2.2 钙钛矿型复合氧化物光催化机理及影响因素 |
| 2.3 光催化性能的表征 |
| 2.3.1 反应溶液配制 |
| 2.3.2 光催化实验装置 |
| 2.4 含钛高炉渣光催化原理 |
| 2.4.1 光催化性能的影响因素 |
| 2.4.2 光催化实验操作步骤 |
| 2.5 样品制备 |
| 2.5.1 普通样品制备 |
| 2.5.2 磁处理样品制备 |
| 2.5.3 确定最佳活化温度 |
| 2.5.4 确定最佳活化磁场强度 |
| 2.6 磁场对含钛高炉渣作用的表征和分析 |
| 2.6.1 含钛高炉渣的结构表征 |
| 2.6.2 含钛高炉渣的表面形貌 |
| 2.6.3 含钛高炉渣的吸光性能 |
| 2.7 小结 |
| 第3章 强磁场对TiO_2及掺杂物的影响 |
| 3.1 TiO_2光催化应用简介 |
| 3.1.1 TiO_2结构和性质 |
| 3.1.2 TiO_2纳米材料应用 |
| 3.1.3 半导体光催化原理 |
| 3.1.4 影响TiO_2光催化活性的因素 |
| 3.1.5 提高TiO_2光催化效率的途径 |
| 3.2 二氧化钛样品的制备 |
| 3.2.1 溶胶-凝胶法 |
| 3.2.2 掺Fe~(3+)二氧化钛的制备 |
| 3.2.3 磁处理TiO_2样品的制备 |
| 3.2.4 TiO_2样品光催化实验操作步骤 |
| 3.3 Fe~(3+)/TiO_2样品研究 |
| 3.3.1 溶胶-凝胶TiO_2样品的结构表征 |
| 3.3.2 最佳煅烧温度、浓度和磁场 |
| 3.3.3 TiO_2样品的表面形貌 |
| 3.3.4 TiO_2样品的吸光性能 |
| 3.4 强磁场高温下对TiO_2相变与结构的影响 |
| 3.4.1 样品制备 |
| 3.4.2 磁场下制备金红石TiO_2的结构表征 |
| 3.4.3 磁场下制备金红石TiO_2的吸光性能 |
| 3.5 小结 |
| 第4章 磁场对钙钛矿及掺杂物的影响 |
| 4.1 CaTiO_3简介 |
| 4.1.1 CaTiO_3微观结构 |
| 4.1.2 CaTiO_3的性质与应用 |
| 4.2 CaTiO_3及掺杂样品制备 |
| 4.2.1 固相合成反应法 |
| 4.2.2 反应产物确定 |
| 4.3 光催化实验操作步骤 |
| 4.4 CaTiO_3样品光催化中磁场强度与掺杂浓度的确定 |
| 4.5 磁场强度对CaTiO_3及掺杂样品的影响与表征 |
| 4.5.1 强磁场处理样品的结构表征 |
| 4.5.2 强磁场处理样品的表面形貌 |
| 4.5.3 强磁场处理样品的吸光性能 |
| 4.6 小结 |
| 第5章 强磁场对CaMg(SiO_3)_2及掺杂物的影响 |
| 5.1 透辉石化学结构和基本性能简介 |
| 5.2 CaMg(SiO_3)_2样品的制备 |
| 5.3 CaMg(SiO_3)_2的表征 |
| 5.3.1 固相制备透辉石样品的结构表征 |
| 5.3.2 固相制备透辉石样品的表面形貌 |
| 5.3.3 固相制备透辉石样品的吸光性能 |
| 5.4 磁处理Fe~(3+)、Mn~(2+)掺杂CaMg(SO_3)_2 |
| 5.4.1 磁处理透辉石样品的结构表征 |
| 5.4.2 磁处理透辉石样品的表面形貌 |
| 5.4.3 磁处理透辉石样品的吸光性能 |
| 5.5 小结 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 攻读博士学位期间的研究成果和发表的论文 |
| 作者简介 |
四、发光聚合物中光激发引起磁化率改变的新现象（论文参考文献）
- [1]手性有机半导体激发铁磁性的机理研究[D]. 田其鹏. 山东大学, 2021(12)
- [2]有机共晶中分子排布对自旋效应影响的研究[D]. 王延鑫. 山东大学, 2021(11)
- [3]有机电荷转移复合物中的自旋极化调控[D]. 魏蒙蒙. 山东大学, 2021(11)
- [4]有机半导体中纯自旋流输运的机理研究[D]. 卢秋霞. 山东大学, 2021(10)
- [5]有机半导体激发态的量子调控[J]. 高琨,秦伟,郝晓涛,解士杰. 科学通报, 2021(16)
- [6]有机和钙钛矿材料激发态下动力学过程的研究[D]. 祝熙翔. 北京交通大学, 2020(03)
- [7]稀土硫化物硼酸盐研究 ——合成、结构及光/磁性质[D]. 迟洋. 扬州大学, 2020
- [8]复杂氧化物的非线性光谱与强磁场下光谱研究[D]. 许学莉. 中国科学技术大学, 2020(01)
- [9]稀土（或过渡金属）有机二羧酸二元配合物单晶的合成和性质[D]. 李成龙. 辽宁石油化工大学, 2019(06)
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